Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDC08S120EX1SA3
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 7.5A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDC08S120EX1SA3
IDC08S120EX1SA3 Hakkında
IDC08S120EX1SA3, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 7.5A kapasiteli Silicon Carbide Schottky doğrultucu diyotudur. Bu diyot, wafer şeklinde surface mount paketinde sunulmaktadır. 1.8V @ 7.5A forward voltajı ile karakterize edilen bileşen, enerji verimliliğinin önemli olduğu şarj kontrol devreleri, AC/DC güç kaynakları, sürücü devreler ve yüksek frekanslı switching uygulamalarında kullanılır. SiC Schottky teknolojisi sayesinde sıfır reverse recovery time sağlayarak enerji kaybını minimalize eder. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma aralığı ile geniş sıcaklık ortamlarında istikrarlı performans sunar. Düşük kapasitans değeri (380pF @ 1V) hızlı anahtarlama işlemleri için avantajlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 380pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 7.5A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 180 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 7.5 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok