Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDC08D120T6MX1SA2
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDC08D120T6MX1SA2
IDC08D120T6MX1SA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IDC08D120T6MX1SA2, 1200V ters gerilim dayanımı ve 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi olan bir silikon doğrultma diyotudur. Standard recovery hızına sahip bu bileşen, güç kaynakları, AC/DC konvertörleri ve endüstriyel doğrultma uygulamalarında kullanılır. Die paketi içinde sunulan komponent, -40°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında işletilmek üzere tasarlanmıştır. 10A akımda 2.05V maksimum ileri gerilimi ve 1200V'ta 2.7µA ters sızıntı akımı ile karakterize edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2.7 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sawn on foil |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.05 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok