Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDC05S60CEX1SA1
DIODE SIC 600V 5A SAWN WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDC05S60CEX1SA1
IDC05S60CEX1SA1 Hakkında
IDC05S60CEX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 600V ters voltaj ve 5A ortalama doğrultma akımı kapasitesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Die (çip) formunda sunulan bu komponent, 1.7V ileri voltaj düşüşü ve sıfır reverse recovery time özelliğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 240pF kapasitansı bulunan bu diyot, anahtarlama güç kaynakları, invertörler ve DC-DC konverterler gibi hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalarda tercih edilir. SiC teknolojisi sayesinde verimlilik ve ısıl performans avantajı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 240pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 70 µA @ 600 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | Die |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 5 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok