Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDC04S60CEX1SA1
DIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Die
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDC04S60CEX1SA
IDC04S60CEX1SA1 Hakkında
IDC04S60CEX1SA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V 4A kapasiteli Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. Die formunda sunulan bu bileşen, yüksek hızlı doğrultma uygulamalarında kullanılır. 0 ns reverse recovery time ile ultra-hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 1.9V ileri gerilim düşüşü ve 50µA ters sızıntı akımı ile karakterizedir. Güç elektronikleri, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü ve PFC (Power Factor Correction) devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Surface mount Die paketi, yüksek yoğunluklu montaj gerektiren tasarımlara uygundur. Not: Bu ürün kullanimdan kaldirilmis (obsolete) durumdadir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 600 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | Die |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | Die |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9 V @ 4 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok