Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDB30E120ATMA1
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDB30E120ATMA1
IDB30E120ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IDB30E120ATMA1, 1200V reverse voltaj ve 50A ortalama düzeltilmiş akım kapasitesine sahip general purpose diyottur. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu fast recovery diyot, maksimum 2.15V forward voltaj ile çalışır. 243 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile +150°C junction sıcaklık aralığında çalışır. Güç kaynakları, invertörler, switching power supplies ve yüksek voltajlı AC/DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 50A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 243 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.15 V @ 30 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok