Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDB12E120ATMA1
DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDB12E120ATMA1
IDB12E120ATMA1 Hakkında
IDB12E120ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1.2KV/28A kapasiteli genel amaçlı doğrultma diyotudur. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde gelmektedir. Fast recovery diyot özelliği ile 150 ns reverse recovery time sunmakta, 2.15V forward voltage değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, yüksek gerilim doğrultma uygulamalarında, endüstriyel kontrol sistemleri, adaptör devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. Maksimum 100 µA reverse leakage akımı ile kararlı performans sağlar. Not: Bu ürün Obsolete (üretim durdurulmuş) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 28A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.15 V @ 12 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok