Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDB10S60C
DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDB10S60C
IDB10S60C Hakkında
IDB10S60C, Infineon Technologies tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudür. 600V ters gerilim dayanımı ve 10A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²PAK) yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, anahtarlama güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve yüksek frekans uygulamalarında tercih edilir. Schottky teknolojisi sayesinde düşük forward voltaj (1.7V @ 10A) ve sıfır reverse recovery time özellikleri ile sistem verimliliğini artırır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 480pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 140 µA @ 600 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok