Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
IDB09E60ATMA1
DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IDB09E60ATMA1
IDB09E60ATMA1 Hakkında
IDB09E60ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V reverse voltaj kapasitesi ile tasarlanmış bir standard doğrultucu diyotudur. 19.3A ortalama doğrultulmuş akım ve 75ns reverse recovery time özelliklerine sahip bu bileşen, hızlı iyileştirme diyot sınıfında yer almaktadır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Forward voltajı 9A akımda maksimum 2V olan bu diyot, endüstriyel uygulamalarda güç kaynakları, invertörler ve AC/DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır. 50µA reverse leakage current değeri ile kontrollü sızıntı karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 19.3A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2 V @ 9 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok