Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IAUC60N04S6N050HATMA1
IAUC60N04S6N050HATMA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IAUC60N04S6N050
IAUC60N04S6N050HATMA1 Hakkında
IAUC60N04S6N050HATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge MOSFET dizi yapılandırmasında bir FET transistörüdür. 40V Drain to Source gerilimi ve 60A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 5mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. Surface Mount teknolojisi ile 8-PowerVDFN paketinde sunulmakta olup, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilen bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1027pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-57 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 13µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok