Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
IAUC60N04S6L045HATMA1
IAUC60N04S6L045HATMA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- IAUC60N04S6L045
IAUC60N04S6L045HATMA1 Hakkında
IAUC60N04S6L045HATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge konfigürasyonlu MOSFET dizisidir. 40V drain-to-source voltaj ve 60A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliğine sahip olan transistör, 4.5mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Gate yükü 19nC ve input kapasitesi 1136pF olarak belirtilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen cihaz, 8-PowerVDFN yüzeye monte paketinde sunulmaktadır. Maksimum 52W güç dağıtım kapasitesi ile DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi devreleri gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1136pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-57 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 13µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok