Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IAUC60N04S6L030HATMA1

IAUC60N04S6L030HATMA1

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IAUC60N04S6L030HATMA1

IAUC60N04S6L030HATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC60N04S6L030HATMA1, 2 N-Channel Half Bridge yapısındaki bir MOSFET FET dizisidir. 60A sürekli dren akımı kapasitesi ve 40V Drain-Source gerilimi desteği ile, güç yönetimi ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliği ile düşük kontrol gerilimlerinde çalışabilir. 3mΩ (maksimum) RDS(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. Surface Mount PG-TDSON-8-56 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışır. DC-DC konvertörleri, inverterler, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yer alır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2128pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power - Max 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-56
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 25µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok