Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

IAUC45N04S6L063HATMA1

IAUC45N04S6L063HATMA1

Paket/Kılıf
8-PowerVDFN
Seri / Aile Numarası
IAUC45N04S6L063HA

IAUC45N04S6L063HATMA1 Hakkında

IAUC45N04S6L063HATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 2 N-Channel Half Bridge konfigürasyonunda MOSFET dizi komponenttir. 45A sürekli drain akımı kapasitesiyle ve 40V Drain-Source gerilimi derecesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Logic Level Gate özelliği düşük kontrol geriliminde çalışmasını sağlar. 6.3mOhm RDS(on) değeri ile minimal güç kaybı sunar. Surface Mount 8-PowerVDFN paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında işletme sıcaklığında stabil performans gösterir. Motor kontrol, güç kaynakları, batarya yönetim sistemleri ve inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 45A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 775pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerVDFN
Part Status Active
Power - Max 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 22A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-57
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 9µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok