Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
HUFA76413DK8T
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- HUFA76413
HUFA76413DK8T Hakkında
HUFA76413DK8T, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel Power MOSFET'tir. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 60V Drain-Source geriliminde 5.1A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan transistör, 49mOhm (10V, 5.1A şartlarında) Rds(on) değerine ve 23nC gate charge karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaktadır. Maksimum 2.5W güç tüketimi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 5.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok