Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
HUFA76413DK8T-F085
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
HUFA76413DK8T-F085 Hakkında
HUFA76413DK8T-F085, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET dizi bileşenidir. Logic Level Gate özelliği ile 10V gate voltajında çalışabilen bu transistör, 60V drain-source voltaj kapasitesine ve 5.1A sürekli dren akımına sahiptir. 49mOhm ile düşük RDS(on) değeri, 3V eşik voltajı ve 23nC gate charge özellikleriyle anahtarlama devrelerinde verimli performans gösterir. Yüksek entegrasyonlu 8-SOIC yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun olan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilen endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Motor sürücüleri, güç yönetimi, LED kontrolü ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 5.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok