Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
HUFA76413DK8T
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
HUFA76413DK8T Hakkında
HUFA76413DK8T, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi, 5.1A sürekli drain akımı ve logic level gate özelliğine sahiptir. RDS(on) değeri 49mOhm (10V, 5.1A koşullarında) ile düşük on-direnci sağlar. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygun olup, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve genel anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Gate şarj kapasitesi 23nC (10V) ve input kapasitesi 620pF (25V) değerlerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 5.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok