Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
HUFA76413DK8
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- HUFA76413
HUFA76413DK8 Hakkında
HUFA76413DK8, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel power MOSFET transistörüdür. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 60V drain-source gerilimi ve 5.1A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 49mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, motor kontrol uygulamalarında, güç yönetim sistemlerinde ve LED sürücü devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. 2.5W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile kompakt tasarımlarda entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 5.1A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok