Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
HUFA76407DK8TF085P
MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
HUFA76407DK8TF085P Hakkında
HUFA76407DK8TF085P, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim, 3.8A sürekli akım ve 90mΩ on-state direnç ile karakterizedir. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 8-SOIC yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen, 330pF input kapasitansı ve 3V gate-source eşik gerilimi bulunan komponent, düşük gerilim uygulamalarında anahtar ve sürücü devrelerinde kullanılır. Lojik seviye kontrolü nedeniyle mikrodenetleyici ve sayısal devrelerle doğrudan arayüzleme olanağı sunar. Cihazın artık üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok