Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

HUFA76407DK8T

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
HUFA76407

HUFA76407DK8T Hakkında

HUFA76407DK8T, Rochester Electronics tarafından üretilen küçük sinyal dual N-channel MOSFET transistör dizisidir. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 60V drain-source gerilimi ve 90mOhm maksimum on-direnç (Rds On) ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (11.2nC) ve input kapasitanslı (330pF) yapısı ile hızlı komütasyon gerektiren DC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama aplikasyonlarında tercih edilir. Maksimum 2.5W güç kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.8A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok