Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

HUFA76404DK8T

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
HUFA76404

HUFA76404DK8T Hakkında

HUFA76404DK8T, Rochester Electronics tarafından üretilen Dual N-Channel Power MOSFET'tir. 62V Drain-Source voltajı ve 3.6A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, Logic Level Gate özelliğine sahiptir. 110mOhm (10V, 3.6A'da) ile oldukça düşük on-state dirençine ve 4.9nC gate charge'a sahiptir. Surface Mount (8-SOIC) paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 250pF input kapasitansi ve 3V threshold voltajı ile hassas kontrol uygulamalarına uygun hale getirilmiştir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve düşük sinyal kontrol sistemlerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 62V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.6A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok