Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
HUF76113DK8T
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- US8
- Seri / Aile Numarası
- HUF76113
HUF76113DK8T Hakkında
HUF76113DK8T, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel Power MOSFET transistör dizisidir. Logic Level Gate özelliğiyle 10V'de 3V eşik gerilimi ile çalışır. 30V Drain-Source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı kapasitesiyle medium güç uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. 32mOhm on-resistance değeri ile verimli anahtarlama sağlar. Surface Mount (US8 paketinde) ve -55°C ile 150°C arasında çalışır. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve anahtarlama düzeneklerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 605pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | US8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok