Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
HTMN5130SSD-13
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Seri / Aile Numarası
- HTMN5130SSD
HTMN5130SSD-13 Hakkında
HTMN5130SSD-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 55V Drain-Source voltaj ve 2.6A sürekli drain akımı ile karakterize edilir. 8-SO (8-SOIC) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, RDS(on) değeri 10V ve 3A'da 130mOhm'dur. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol ve genel sinyal anahtarlama işlemlerinde kullanılır. Düşük gate charge (8.9nC @ 10V) ve kompakt giriş kapasitansı (218.7pF @ 25V) sayesinde yüksek anahtarlama hızı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 218.7pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.7W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok