Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
HSG1002VE-TL-E
RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- HSG1002VE
HSG1002VE-TL-E Hakkında
HSG1002VE-TL-E, Rochester Electronics tarafından üretilen RF germanium NPN transistörüdür. C-band frekans aralığında çalışan bu komponent, 38GHz transition frequency ve 0.7-1.8dB noise figure ile düşük gürültü uygulamalarında kullanılır. Maksimum 35mA kolektör akımı ve 200mW güç tüketimi kapasitesi ile RF amplifikasyon, LNA (Low Noise Amplifier) uygulamaları, uydu haberleşme ve mikrodalga frekans uygulamalarında tercih edilmektedir. Surface mount 4-SMD paket ile modern PCB montajına uygun tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 2V |
| Frequency - Transition | 38GHz |
| Gain | 8dB ~ 19.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz |
| Package / Case | 4-SMD, Gull Wing |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | 4-MFPAK |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3.5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok