Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

HS8MA2TCR1

30V DUAL COMMON DRAIN PCH+NCH PO

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
HS8MA2TCR1

HS8MA2TCR1 Hakkında

HS8MA2TCR1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen 30V dual common drain MOSFET dizi transistörüdür. N-kanallı ve P-kanallı kanalları içeren bu bileşen, 5A ile 7A arasında sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. RDS(on) değerleri 80mOhm (5.5A, 10V) ve 35mOhm (7A, 10V) olarak belirtilmiştir. İndüstriyel ve tüketici uygulamalarında, anahtar uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 8-PowerWDFN paket tipiyle surface mount uygulamalar için optimize edilmiştir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C, maksimum güç 2W'dır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta), 7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 10V, 365pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power - Max 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 5.5A, 10V, 35mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package DFN3333-9DC
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok