Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
HS8K1TB
30V NCH+NCH POWER MOSFET
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-UDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- HS8K1TB
HS8K1TB Hakkında
HS8K1TB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ile tasarlanmış bu bileşen, maksimum 10-11A sürekli drenaj akımı sunmaktadır. 8-UDFN Surface Mount paketinde gelen komponent, 2W güç sınırlaması ile çalışır. RDS(on) değeri 10A ve 10V koşullarında 14.6mOhm olup, hızlı anahtarlama özelliklerine sahip düşük gate charge değerleri (6-7.4nC) taşır. Vgs(th) 2.5V'ta 1mA akıma göre belirlenmiş olup, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücüsü ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta), 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 348pF @ 15V, 429pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V |
| Supplier Device Package | HSML3030L10 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok