Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
HS8K11TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 8-UDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- HS8K11TB
HS8K11TB Hakkında
HS8K11TB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile çalışabilen bu bileşen, 7A ve 11A drain akımlarında kullanılmaya uygun olup logic level gate özelliğine sahiptir. 17.9mOhm Rds(on) değeri ve düşük gate charge (11.1nC) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-UDFN Exposed Pad paketinde sunulan HS8K11TB, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında ve 2W güç dağılımında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A, 11A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.1nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-UDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.9mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | HSML3030L10 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok