Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS3M M6G
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-214AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS3M
HS3M M6G Hakkında
HS3M M6G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. DO-214AB (SMC) yüzey montajlı paketle sunulan bu komponent, 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. 75 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlamaya olanak sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Forward voltage 3A'de maksimum 1.7V'dir. 1000V reverse voltajda 10µA sızıntı akımı karakteristiğine sahiptir. Güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50pF kapasitans (4V, 1MHz) düşük RF gürültüsü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AB, SMC |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok