Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS3J V6G
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-214AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS3J
HS3J V6G Hakkında
HS3J V6G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyodudur. 600V ters gerilim dayanımı ve 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç kaynakları, adaptörler ve AC/DC konverter uygulamalarında kullanılır. Fast recovery diyot olarak 75ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlamaya uygun tasarlanmıştır. Surface Mount DO-214AB (SMC) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. 10µA @ 600V ters kaçak akımı ile düşük sızıntı karakteristiği, switch mode güç kaynakları ve endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AB, SMC |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok