Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS3F M6G
DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-214AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS3F
HS3F M6G Hakkında
HS3F M6G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyottur. 300V ters voltaj ve 3A ortalama doğrultma akımı kapasitesi ile AC/DC güç kaynakları, invertör devreleri ve anahtarlamalı güç uygulamalarında kullanılır. 50ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama gerektiren modern güç elektronik tasarımlarında tercih edilir. 1V forward voltage düşüşü ile düşük enerji kaybı sağlar. Surface mount DO-214AB (SMC) paketinde sunulan bileşen, kompakt PCB tasarımlarına uygundur. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 80pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 300 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AB, SMC |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 300 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok