Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1ML M2G
DIODE GEN PURP 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1ML
HS1ML M2G Hakkında
HS1ML M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotdur. 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, Sub SMA (DO-219AB) yüzey montajı paketi içinde sunulmaktadır. 75 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maximum 1.7V forward voltage düşüşü ile verimli doğrultma sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu diyot, güç kaynakları, şarj kontrol devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS) uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 1000V'de 5µA reverse leakage current özellikleri ile güvenilir çalışma performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok