Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1M R3G
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1M
HS1M R3G Hakkında
HS1M R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 1000V ters voltaj kapasitesi ve 1A ortalama doğrultma akımına sahip olan bu bileşen, 75ns düşük reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DO-214AC (SMA) yüzey montajlı paket ile sağlanan diyot, anahtarlı güç kaynakları, invertör devreleri, motor kontrol uygulamaları ve güç dönüşüm sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok