Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1M M2G
DIODE GEN PURP 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1M
HS1M M2G Hakkında
HS1M M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 1A kapasiteli general purpose doğrultma diyodudur. DO-214AC (SMA) yüzey montajlı pakette sunulan bu diyot, 75 ns reverse recovery time ile hızlı kurtarma özelliğine sahiptir. Forward voltage 1.7V @ 1A ve 5µA @ 1000V reverse leakage akımı ile karakterize edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, düşük frekans AC doğrultma ve koruma uygulamalarında kullanılmaktadır. Surface mount teknolojisine uyumlu tasarımı sayesinde yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok