Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1KL RQG
DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1KL
HS1KL RQG Hakkında
HS1KL RQG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı recovery diyotudur. 800V DC reverse voltaj ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. 75ns reverse recovery time (trr) ile anahtarlamalı güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve AC/DC doğrultma devrelerinde tercih edilir. Sub SMA (DO-219AB) paket tipi ile yüksek yoğunluklu PCB'lere montaj yapılabilir. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışan bileşen, 1.7V maksimum forward voltage düşüşü ile enerji kaybı minimuma indirgenir. 15pF kapasitansı (4V, 1MHz) ve 5µA ters sızıntı akımı ile yüksek cinsiyetli uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok