Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1KL R3G
DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1KL
HS1KL R3G Hakkında
HS1KL R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 800V 1A kapasiteli bir genel amaçlı hızlı iyileşme diyotudur. Sub SMA yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında doğrultma işlevi görmek için tasarlanmıştır. 75 ns'lik düşük reverse recovery time (trr) ve 1.7V maksimum forward voltage ile verimli enerji dönüşümü sağlar. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 5 µA maksimum reverse leakage current ve 15pF @ 4V kapasitansı ile elektromanyetik parazit kontrolü başarılıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok