Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1KL M2G
DIODE GEN PURP 800V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1KL
HS1KL M2G Hakkında
HS1KL M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultucu diyottur. 800V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu bileşen, hızlı recovery özellikleriyle (75ns) güç kaynakları, adaptörler ve AC/DC dönüştürücü devrelerinde kullanılır. Sub SMA (DO-219AB) yüzey monte paketine sahip olan diyot, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 1.7V maksimum ön gerilim ve 5µA ters sızıntı akımı özellikleriyle, anahtarlama ve dikişli uygulamalarda tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok