Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1KAL M3G
75NS, 1A, 800V, HIGH EFFICIENT R
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-221AC
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1KAL
HS1KAL M3G Hakkında
HS1KAL M3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 800V reverse voltage kapasitesine sahip hızlı recovery diyotudur. 1A ortalama doğrulama akımı ile tasarlanmış olup, 75 ns reverse recovery time (trr) değerine sahiptir. Surface mount DO-221AC (SMA) paketinde sunulan bu komponent, güç kaynakları, invertörler, anahtarlama devreleri ve AC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 1.7V forward voltage düşüşü gösterir ve 1 µA reverse leakage current ile karakterize edilir. Fast recovery diyot özellikleri sayesinde yüksek frekanslı uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-221AC, SMA Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Thin SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok