Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1JL RVG
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1JL
HS1JL RVG Hakkında
HS1JL RVG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V 1A kapasiteli genel amaçlı doğrultucu diyottur. DO-219AB (Sub SMA) yüzey montaj paketi ile tasarlanmıştır. Fast recovery türü olan bu diyot, 75 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 1.7V forward voltage ile düşük voltaj düşüşü sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Anahtarlama güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve genel doğrultma uygulamalarında tercih edilir. 5µA reverse leakage current ile yüksek bağımsızlık özellikleri içerir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok