Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1JL RQG
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1JL
HS1JL RQG Hakkında
HS1JL RQG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V 1A kapasiteli genel amaçlı doğrulttucu diyottur. Fast recovery tipi bu diyot, 75 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, düşük güç yönetim devrelerinde, AC/DC dönüştürücülerde ve anahtarlama güç kaynakları (SMPS) içerisinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında güvenli çalışan bu diyot, 1mA @ 600V ters akım özellikleri ile elektromanyetik uygulamalar, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok