Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1JL MQG
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1JL
HS1JL MQG Hakkında
HS1JL MQG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V 1A kapasiteli hızlı iyileştirme (fast recovery) doğrultucu diyottur. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, anahtarlamalı güç kaynakları, LED sürücüleri, motor kontrol devreleri ve genel amaçlı güç uygulamalarında kullanılır. 75 ns reverse recovery time ile yüksek hızlı anahtarlamaya uygun tasarlanmıştır. 1.7V forward voltage ve 5µA ters akım karakteristikleri ile verimli işletme sağlar. -55°C ~ 150°C çalışma aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok