Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1JL MHG
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1JL
HS1JL MHG Hakkında
HS1JL MHG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V 1A kapasiteli genel amaçlı diyot doğrulttucu bileşenidir. Sub SMA (DO-219AB) surface mount paketi ile sağlanan bu fast recovery diyot, 75 ns reverse recovery time özelliğine sahiptir. 1.7V forward voltage ile karakterize edilen bileşen, anahtarlama uygulamaları, AC-DC dönüştürücüler, power supply devreleri ve koruma uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 5 µA reverse leakage current ile düşük kaçak akım sağlar. 15pF @ 4V kapasitans değeri ve fast recovery karakteristiği onu yüksek frekans switching uygulamalarında tercih edilen bir seçenek haline getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok