Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1JL M2G
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1JL
HS1JL M2G Hakkında
HS1JL M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultucu diyottur. 600V ters voltaj dayanımı ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. Fast recovery diyot olarak 75ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Sub SMA (DO-219AB) yüzey monte paketine sahip olup, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 1.7V forward voltage ile minimum enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok