Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1FL RTG
DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1FL
HS1FL RTG Hakkında
HS1FL RTG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı recovery diyotudur. 300V ters voltaj ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında kullanılır. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, 50 ns recovery time ile anahtarlama devrelerine, AC/DC dönüştürücülere, güç kaynakları ve ses frekansı uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışan bileşen, 950 mV forward voltaj düşümü ve 5 µA ters kaçak akımı özellikleri ile kompakt ve ekonomik çözümler sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 300 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 300 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok