Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1FL M2G
DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1FL
HS1FL M2G Hakkında
HS1FL M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyottur. 300V reverse voltaj kapasitesine ve 1A ortalama doğrultulan akıma sahip olan bu komponent, Sub SMA (DO-219AB) yüzey montaj paketi ile sunulmaktadır. 950mV maksimum forward voltaj ve 50ns reverse recovery time özellikleri ile AC/DC güç kaynakları, şarj devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışan bu diyot, 5µA ters sızıntı akımı ile düşük kaybetme özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 300 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 300 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok