Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1DL RQG
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1DL
HS1DL RQG Hakkında
HS1DL RQG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 200V ters voltaj ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Sub SMA (DO-219AB) paketinde sunulan bu diyot, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50ns reverse recovery time ile DC/DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve enerji dönüşüm devrelerinde tercih edilir. Maksimum forward voltaj 950mV @ 1A, 5µA ters sızıntı akımı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı sunmaktadır. Surface mount tasarımıyla kompakt ve yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok