Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1DL RFG
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1DL
HS1DL RFG Hakkında
HS1DL RFG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 200V ters voltaj dayanımı ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç kaynakları, inverter devreleri ve AC/DC dönüştürücülerde kullanılır. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montajlı paketinde sunulan bu diyot, 50ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlamayı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Forward voltage 1A akım altında maksimum 950mV olup, 5µA ters sızıntı akımı ile düşük kayıp karakteristiği vardır. Endüstriyel uygulamalar, tüketici elektroniği ve anahtarlamalı güç kaynakları tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok