Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1DL R3G
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1DL
HS1DL R3G Hakkında
HS1DL R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 200V 1A kapasiteli genel amaçlı fast recovery diyottur. DO-219AB (SUB SMA) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, 50 ns'lik düşük reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Forward voltajı 1A'de 950 mV olan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir. 200V maksimum reverse voltaj ile AC/DC güç kaynakları, LED sürücüleri, inverter devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda doğrultma ve koruma görevini yerine getirir. 20 pF kapasitans değeri (4V, 1MHz) ve 5 µA reverse leakage akımı ile RF ve hassas uygulamalarda da kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok