Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1BL R3G
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1BL
HS1BL R3G Hakkında
HS1BL R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery doğrultucu diyottur. 100V ters gerilim dayanımı ve 1A ortalama doğrultma akımı ile AC/DC güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Surface mount Sub SMA paketinde sunulan bu diyot, 50ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlamaya uygun tasarlanmıştır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve düşük forward voltage (950mV @ 1A) özellikleri, elektronik güç yönetimi ve sinyal doğrultma uygulamalarında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok