Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1BL M2G
DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1BL
HS1BL M2G Hakkında
HS1BL M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı silikon doğrultma diyodudur. 100V ters voltaj ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Fast recovery tipi yapısı ile 50ns reverse recovery time sunar ve 200mA üzeri akımlarda 500ns altında switching performansı sağlar. Sub SMA (DO-219AB) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 950mV forward voltage ve 5µA ters kaçak akımı karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında çalışan diyot, anahtarlama devreleri, AC/DC adaptörler, SMPS uygulamaları ve endüstri elektroniklerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok