Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1B M2G
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1B
HS1B M2G Hakkında
HS1B M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultucu diyottur. 100V ters gerilim kapasitesi ve 1A ortalama doğrultulmuş akım ile tasarlanmıştır. Fast recovery özelliğine sahip bu diyot, 50ns reverse recovery time ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount DO-214AC (SMA) paketinde sunulan bileşen, güç kaynakları, şarj devreleri ve genel doğrultma uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 1V forward voltage düşüşüne sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok