Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
HS1AL M2G
DIODE GEN PURP 50V 1A SUB SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-219AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HS1AL
HS1AL M2G Hakkında
HS1AL M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileştirme diyodudur. 50V ters voltaj ve 1A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahip bu diyot, Sub SMA yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. 50ns düşük ters kurtarma zamanı (trr) sayesinde anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı regülatörlerde yaygın olarak kullanılan bir komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 50 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-219AB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Sub SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok