Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

HP8S36TB

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
HP8S36TB

HP8S36TB Hakkında

HP8S36TB, ROHM Semiconductor tarafından üretilen dual N-channel MOSFET dizisi olup half-bridge konfigürasyonunda çalışır. 30V drain-source voltajı ile tasarlanan bu bileşen, 80A'ye kadar sürekli drain akımı sağlayabilir. 2.4mΩ on-resistance (10V, 32A koşullarında) ile düşük enerji kaybı sunar. 8-pin PowerTDFN paket tipinde surface mount olarak monte edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. 29W maksimum güç kapasitesi ve 47nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama ve verimli çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A, 80A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6100pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power - Max 29W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 32A, 10V
Supplier Device Package 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok